化学机械抛光，Chemical-Mechanical Polishing，简称CMP。是在具有化学活性的研磨液、运动的抛光垫和施加在研磨压力以及旋转抛光头的共同作用下研磨晶片表面的薄膜达到平坦化的技术。研磨液是由纳米级精细颗粒和化学液等组成，抛光垫是一种类海绵物质。